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发布时间：2025-07-08 03:12:34 来源：弄虚作假网 作者：热点

隨著 AI 資料中心建置量增加，隱用光收發模組做為資料中心互連的藏夥關鍵元件，需求正快速起飛，伴英三五族半導體廠英特磊（IET）董事長暨總經理高永中接受《科技新報》專訪時提到，特磊手機的高階光通出現改變了三五族半導體的市場規模，如今「AI 商機可能比手機還大」。磊晶178直播体育赛事免费直播网

英特磊沒採用三五族長晶主流的卡位 MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）技術，而是訊爆選擇 MBE（分子束磊晶）這條路，高永中笑稱「因為我只懂這個」。隱用他表示，藏夥當年攻讀博士時，伴英便和兩位師兄的特磊親手打造出一套 MBE 設備，進行 MBE 矽化物的高階光通研發，最後發現矽基 IC 產業對雜質、磊晶真空要求太高，卡位讓他思考如何將 MBE 發揮最大效益，最後決定切入三五族化合物半導體材料。

高永中指出，雨燕免费直播在线观看直播足球三五族材料最大的魅力在於組合多樣性，打開元素週期表就會發現，第三族與第五族元素可多種組合，生成如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、三元銦鎵砷（InGaAs）、四元銦鎵砷磷（InGaAsP）等材料。至於真正改變三五族產業規模的，是 1990 年代末期手機市場剛普及，帶動對 RF 元件的需求，特別是 PA（功率放大器）與 Switch（交換器）兩大關鍵元件，「90 年初我們說一部 MBE 就夠支持三五族元件了，但手機出現後，整個局勢完全改變了。」

▲ 英特磊（IET）董事長暨總經理高永中。（Source：科技新報）

然而，在公司的雨燕免费直播在线观看直播足球策略初期，高永中便放棄投入 GaAs HBT PA 市場，雖然市場龐大，但這項技術更適合 MOCVD 生長。他評估若無法在技術與成本上取得競爭力，貿然投入反而會造成傷害，尤其在美國設廠的人力與營運成本較高的環境下。因此，他決定先攻「只有 MBE 能做，而且毛利相對高」的產品，相信只要做出夠水準的產品，就會有業績出現。

而他也決定切入銻化鎵（GaSb）、磷化銦等三五族材料，並與 Coherent（當年的 Finisar，未與 II-VI 合併前）合作開發「面射型雷射」（VCSEL），成為目前全球唯一一間具備量產型 MBE 製程生產 VCSEL 能力的公司。

不打價格戰，MBE 幫助 IET 走向高端磊晶

談到 MBE 這項技術，高永中解釋其操作方式更像「光學快門」，用開關快門來控制三族和五族元素的生長，雖然成長速度相對 MOCVD 較慢，也不像該技術有利大量生產，但在厚度控制與界面品質上具有極高準確度，且較乾淨、低污染，大多生產 pHEMT（假型高速電子場效電晶體）元件。

此外，MBE 還有個無可取代的優勢，便是在「摻雜物的高低濃度控制」（Doping）。高永中舉例，在氮化鎵材料中，相較 MOCVD，MBE 的 N 型摻雜濃度可提升至 100 倍，可改善接觸電阻，當進行電轉換時，接觸電阻可減少五倍，對資料中心等電源轉換效率極為敏感的應用來說，節省 1% 電力即是巨大的成本差異。

也因此，英特磊目前主要聚焦在高階應用與技術差異化，目標是將高階 MBE 技術導入量產，並持續降低成本。截至目前，IET 已具備完整的磊晶與自製機台能力，也讓公司累積高度技術不可取代性。

隨著市場上主流的光電模組產品已邁入 100G、甚至 200G 的高速傳輸世代。目前 Coherent 的 100G 與其他主流光電大廠的 200G PD（光檢測器）的磊晶均交由英特磊研發代工。也使英特磊被視為另一個「隱藏版的矽光子廠家」，甚至是隱形冠軍。

除了主力的 PD 業務外，IET 開始著眼於其他潛在的高階應用市場，如用於矽光子光源的量子點雷射（Quantum Dot Laser）和高速面射型雷射（VCSEL）開發，前者已建立專門團隊與機台開發中，後者則有望做為高速光源，可實現更簡化、低功耗的高速資料傳輸，這也將是 AI 與雲端資料中心發展下的新需求。

GaN 製程朝向「Hybrid」結構，IET 供「二次磊晶」新解方

談到未來 MBE 的機會，高永中表示，做為一間 EPI House，英特磊不僅做磊晶，還開發設備，現在很多 MBE 客製化機器市面根本買不到，也沒有人願意開發，但由於自己是使用者，最清楚怎麼改、怎麼調，才能真正符合製程需求。

為了提升接單競爭力，英特磊推進新廠二期擴建，將原本做為倉儲用途的空間，改造成完整的生產基地，預期產能可提升約 50%。原本可容納 24 台機台的新廠房，升級後最多可放到 36 台；同時，也全面展開機台翻新作業，讓原本老舊的設備，經過調校後甚至能超越新機的表現。而且可以修改成不同三五族材料磊晶機台應用。

在 MBE 機台布局方面，高永中也提到 n-Type 高濃度氮化鎵（GaN）「二次磊晶」（regrowth）的 MBE 專用機台，因應客戶常因距離與製程銜接造成整體週期拉長，使量產變困難。

透過將主體結構由 MOCVD 長成的 GaN HEMT（高電子遷移率電晶體）進行二次磊晶，可針對關鍵Source & Drain接觸區進行磊晶優化，有效降低接觸電阻（Contact Resistance）、提升高頻表現，做為提升 AI 資料中心與高階通訊應用的功率轉換元件的新解方。

由於目前的 AI 伺服器在長時間的 AI 訓練下，高溫與高電流將帶來系統耗電問題。透過二次磊晶技術將有助於未來的AI伺服器的功率元件將會有更高的轉換效率，並減少電源模組的能耗與散熱需求，並增加系統穩定性。除此之外，過去應用於通訊領域的 GaN HEMT 高頻元件，由於其高頻潛能常被接觸電阻與載子注入效率所限制，透過 n+ GaN 二次磊晶技術將更適用於 6G 世代的高頻通訊元件。

因此，未來 GaN 元件裝置的主流製程將朝向「Hybrid」（混合）結構發展，高永中指出，最理想的合作模式就是提供客戶一站式 Turnkey 解決方案，即英特磊負責機台的建置、維護與操作，讓客戶能專注在應用與產品開發上，做為推進技術的供應者。

今年訂單能見度高，待年底 InP 基板供應瓶頸解決後迎新高 

展望未來，高永中預期 2025 年全年業績有望突破 2022 年的歷史高點，再創歷史新高。儘管今年仍受限於磷化銦（InP）基板的供應瓶頸，影響交期與產能擴充，但整體AI市場需求強勁、且主要客戶這兩年的出貨目標都是呈現翻倍成長，因此預期今明兩年的營收有望實現顯著成長，公司也將積極多方協調 InP 基板供應鏈，預期下半年就能夠跟上AI高速運算的訂單需求。

雖然目前地緣政治仍不穩定，但在 AI 熱潮、銅退光進、高速傳輸等趨勢下，英特磊選擇了一條不同於主流的大規模競賽之路，不拚價格、不靠規模，而是以 MBE、一條龍解決方案，深耕高階磊晶領域，目標在 100G、200G 甚至是下一代 400G 與更高速的資料傳輸需求，持續扮演背後關鍵推手的角色。

（首圖來源：科技新報）

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